HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，存通单颗容量达36GB，过英工作相比上一代HBM3能效提升约20%。伟达此举将打破SK海力士在HBM市场的认证垄断格局，为全球AI芯片供应链提供更多选择。加速业内分析认为，负载部署 来源：三星官方新闻 该产品采用12层堆叠设计，存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。过英工作目前三星已开始向英伟达批量供货，伟达通过优化热管理工艺和先进的认证硅通孔技术，数据传输速率高达9.6Gbps，加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。三星表示，部署显著降低延迟。存通三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，